IT之家 4 月 19 日消息，綜合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 報(bào)道，英特爾考慮在未來的 High NA EUV 光刻節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入定向自組裝 DSA 技術(shù)進(jìn)行輔助。DSA 是兩項(xiàng)被認(rèn)為可部分取代傳統(tǒng)光刻的新型圖案化技術(shù)之一（IT之家注：另一項(xiàng)是納米壓印 NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性實(shí)現(xiàn)圖案化，一般被認(rèn)為適合輔助傳統(tǒng)光刻而非獨(dú)立運(yùn)用。▲ 嵌段共聚物分子在誘導(dǎo)下可自動(dòng)排列成有規(guī)律的圖案形態(tài)。圖源德國默克SemiAnalysis 認(rèn)為，High NA EUV 光刻面臨的一大問題就是關(guān)鍵尺寸（CD，衡量半導(dǎo)體工藝精細(xì)程度的關(guān)鍵指標(biāo)之一）定時(shí)照射劑量和光刻機(jī)晶圓吞吐量的矛盾。如果晶圓廠需要在保證關(guān)鍵尺寸的前提下?lián)碛辛己玫膱D案化效果，那么就必須加大照射劑量，這將導(dǎo)致光刻過程放慢，光刻機(jī)晶圓吞吐量降低，晶圓廠成本負(fù)擔(dān)加重。而如果晶圓廠以較高的吞吐量運(yùn)行光刻機(jī)，那就意味著光刻圖案的質(zhì)量隨照射劑量的減少而下降。此時(shí) DSA 定向自組裝技術(shù)就可發(fā)揮作用，修復(fù)光刻圖案上的特征錯(cuò)誤。引入 DSA 定向自組裝可在提升光刻圖案質(zhì)量的同時(shí)，降低照射劑量，提升光刻機(jī)晶圓吞吐量，使 High NA EUV 光刻更具成本可行性。除 DSA 外，英特爾也考慮在 High NA EUV 光刻中導(dǎo)入圖案塑形技術(shù)。應(yīng)用材料公司于去年初發(fā)布了 Centura Sculpta 圖案塑形系統(tǒng)。該系統(tǒng)可定向精確修改晶圓上的特征圖案，減少最關(guān)鍵圖層的光刻次數(shù)，也具有提升光刻圖案質(zhì)量的作用。英特爾研究員馬克?菲利普（Mark Phillip）強(qiáng)調(diào)：“為了提高光刻工藝的效率，有必要引入光刻機(jī)以外的設(shè)備來進(jìn)行補(bǔ)充。”